光刻胶和晶圆 光刻胶是不是就是区块链

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抄底狂人松果访谈精彩回答：年底吃饭行情 科技为矛油服为盾！

本期嘉宾 抄底狂人松果 在 11 月 7 日的股吧访谈中 为 年底吃饭行情，科技为矛油服为盾 ！ 那么有哪些精彩观点呢？

2019年仅剩下最后的2个月，7月份以后，主力再次集中资金炒科技股，其中消费电子，华为海思概念，以及区块链等板块被爆炒，预计后市科技股，将会在下游应用端产生5倍甚至10倍以上的大牛股。除此之外，油气服务板块，半年报第3季度报逆势业绩大增，适合防守。

【以下为访谈精彩观点】

1。老师好，如何看待科技股行情？科技股将会怎么走？

(11-07 15:10:48)抄底狂人松果：科技股是本轮反弹的一个主要方向，我们看到今年科技股成三个月，一个周期轮动的特点。譬如，今年1到3月份，以OLED为代表的硬件股，；今年3到6月份，以中国软件为代表的国产软件股；今年6到9月份，科技股再次轮回到硬件古，特别是苹果华为为代表的消费电子，大幅上涨明显；以后区块链为代表的科技股，人气高涨，后市继续看好科技股，我个人比较关注的是光刻胶为代表的半导体原材料，以及部分受益于国产化的高科技半导体原材料，如半导体特种气体，靶材等等。

2.6G研发启动，将会带来哪些利好？

(11-07 15:13:28)抄底狂人松果：从目前来看，6g仅仅是一个概念，老爷子给的时间表来看，6g可能要等到十年左右！给6g将会在应用端出现很多牛股，关注的如云计算，智慧城市，智能驾驶，车联网等方向概念股！

3。十一月股市将会怎么走？

(11-07 15:19:52)抄底狂人松果：我认为11月份的大盘，将会呈现前低后高，冲高回落的特点。短期需要关注3010这个压力位，中期预计大盘会在2850到3055，大区间震荡为主！且关注本月20号前后，大盘是否会出现再次变盘？我们看最近的几个月，变盘的时间窗口都是集中在每个月中下旬，个人认为，如果本月下调lpl十个PB点以上，大盘将会有望冲破3055的压力位，反之，继续震荡为主！不过这里我们有必要乐观一下，从近期外汇的表现来看，类似于2015年、2016年、2018年发生破位的情况，已经不存在了，所以我的观点是：大盘底部探明，但需要反复搓揉震荡，牛市需要经济面的确认，但最坏的情况已经过去了！

4。三千点这个坎，为何就是迈不过去？

(11-07 15:24:29)抄底狂人松果：还迟迟不能突破3000点，主要有两个原因造成：其一，是市场担心IPO加速，前期工业富联，只用了20个工作日就上会，到今天京沪高铁，10日就上会，确实让人担心；其二，以PMI、Ppi、规模以上工业企业利润增加值、零售额增长率，等指标迟迟没有企稳，所以超级资金还在等待和观望。个人判断，最坏的情况已经过去了，目前来说，市场缺乏流动性的注入，不必悲观！

5。钢铁难以有起色？

(11-07 15:49:50)抄底狂人松果：目前来看，自2015年，我国启动供给侧改革之后，类似于在2005年到2010年，期间受投资拉动的基建板块产业链，机会不大，例如有色的电解铝，铜；钢铁和煤炭等，除了2017年出现了井喷涨价行情之外，大部分时间，这些板块机会都不大，建议慎重！

6。老师对于抄底投资，你有什么独特的看法？

(11-07 15:56:23)抄底狂人松果：我的抄底，有利于大家心目中的抄底，一般我会中期跟踪一只股票，根据公司的业绩变化规律，以及公司估值变化趋势，选择在市场恐惧的时候低吸，完成估值修复，或者市场趋之若鹜的时候，我选择高抛！抄底最好能大概率预测到公司的估值底，同时，结合市场的情绪面变化，再进行左侧交易！与现在很多涨停板敢死队，抄底的风险来自于时间的长短，可以用时间换空间，对于大部分人散户来说是适合的，机构也常常这样做，而追高只是用空间换时间，风险不可控！

（文章来源：研究中心）

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什么是光刻胶

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域。1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业。[1]光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的光刻胶以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。

目的

硅片制造中，光刻胶的目的主要有两个：光刻胶原理，小孔成像！技术源头，古老的相机！

（1）将掩模版图形转移到硅片表面顶层的光刻胶中；

（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如刻蚀或离子注入阻挡层）。

分类

光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

利用这种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为三种类型。

光聚合型

采用烯类单体，在光作用下生成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚合物，具有形成正像的特点。

光分解型

采用含有叠氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。

光交联型

采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

含硅光刻胶

为了避免光刻胶线条的倒塌，线宽越小的光刻工艺，就要求光刻胶的厚度越薄。

在20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右。但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对衬底的刻蚀[2]。为此，研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋涂在一层较厚的聚合物材料（常被称作Underlayer），其对光是不敏感的。曝光显影后，利用氧等离子体刻蚀，把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下，含Si的光刻胶刻蚀速率远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性。

含有Si的光刻胶是使用分子结构中有Si的有机材料合成的，例如硅氧烷，硅烷，含Si的丙烯酸树脂等。

光刻胶~~光刻胶的概念是什么?

光刻胶

photoresist

又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增

感染料）和溶剂三种主要成分组成光刻胶是不是就是区块链的对光敏感的混合液

体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化

反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲合

性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部

分，得到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。

光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制

版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学

反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照

后形成不可溶物质的是负性胶光刻胶是不是就是区块链；反之，对某些溶剂是不

可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这

种性能，将光刻胶作涂层，就能在硅片表面刻蚀所需的

电路图形。基于感光树脂的化学结构，光刻胶可以分为

三种类型。①光聚合型，采用烯类单体，在光作用下生

成自由基，自由基再进一步引发单体聚合，最后生成聚

合物，具有形成正像的特点。②光分解型，采用含有叠

氮醌类化合物的材料，经光照后,会发生光分解反应,由

油溶性变为水溶性，可以制成正性胶。③光交联型，采

用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其

分子中的双键被打开，并使链与链之间发生交联，形成

一种不溶性的网状结构，而起到抗蚀作用，这是一种典

型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。

感光树脂在用近紫外光辐照成像时，光的波长会限

制分辨率（见感光材料）的提高。为进一步提高分辨率

以满足超大规模集成电路工艺的要求，必须采用波长更

短的辐射作为光源。由此产生电子束、X 射线和深紫外

(＜250nm)刻蚀技术和相应的电子束刻蚀胶，X射线刻蚀

胶和深紫外线刻蚀胶，所刻蚀的线条可细至1□m以下。

光刻胶在接受一定波长的光或者射线时,会相应的发生一种光化学反应或者激励作用。光化学反应中的光吸收是在化学键合中起作用的处于原子最外层的电子由基态转入激励态时引起的。对于有机物，基态与激励态的能量差为3~6eV，相当于该能量差的光(即波长为0.2~0.4μm的光)被有机物强烈吸收，使在化学键合中起作用的电子转入激励态。化学键合在受到这种激励时，或者分离或者改变键合对象，发生化学变化。电子束、X射线及离子束(即被加速的粒子)注入物质后，因与物质具有的电子相互作用，能量逐渐消失。电子束失去的能量转移到物质的电子中，因此生成激励状态的电子或二次电子或离子。这些电子或离子均可诱发光刻胶的化学反应。

pcb光刻胶和半导体光刻胶的区别

光刻胶是一种有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发生变化。一般光刻胶以液态涂覆在硅片表面上，曝光后烘烤成固态。 1、光刻胶的作用： a、将掩膜板上的图形转移到硅片表面的氧化层中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。2、光刻胶的物理特性参数： a、分辨率（resolution）。区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 b、对比度（Contrast）。指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。对比度越好，形成图形的侧壁越陡峭，分辨率越好。 c、敏感度（Sensitivity）。光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极深紫外光（EUV）等尤为重要。 d、粘滞性/黏度（Viscosity）。衡量光刻胶流动特性的参数。粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度。光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标。它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体，粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise），光刻胶一般用厘泊（cps，厘泊为1%泊）来度量。百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。单位：百分斯托克斯（cs）＝cps/SG。 e、粘附性（Adherence）。表征光刻胶粘着于衬底的强度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形。光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。 f、抗蚀性（Anti-etching）。光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。 g、表面张力（Surface Tension）。液体中将表面分子拉向液体主体内的分子间吸引力。光刻胶应该具有比较小的表面张力，使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。 h、存储和传送（Storage and Transmission）。能量（光和热）可以激活光刻胶。应该存储在密闭、低温、不透光的盒中。同时必须规定光刻胶的闲置期限和存贮温度环境。一旦超过存储时间或较高的温度范围，负胶会发生交联，正胶会发生感光延迟。3、光刻胶的分类 a、根据光刻胶按照如何响应紫外光的特性可以分为两类：负性光刻胶和正性光刻胶。 负性光刻胶（Negative Photo Resist）。最早使用，一直到20世纪70年代。曝光区域发生交联，难溶于显影液。特性：良好的粘附能力、良好的阻挡作用、感光速度快；显影时发生变形和膨胀。所以只能用于2μm的分辨率。 正性光刻胶（Positive Photo Resist）。20世纪70年代，有负性转用正性。正性光刻胶的曝光区域更加容易溶解于显影液。特性：分辨率高、台阶覆盖好、对比度好；粘附性差、抗刻蚀能力差、高成本。 b、根据光刻胶能形成图形的最小光刻尺寸来分：传统光刻胶和化学放大光刻胶。 传统光刻胶。适用于I线（365nm）、H线（405nm）和G线（436nm），关键尺寸在0.35μm及其以上。 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。适用于深紫外线（DUV）波长的光刻胶。KrF（248nm）和ArF（193nm）。4、光刻胶的具体性质 a、传统光刻胶：正胶和负胶。光刻胶的组成：树脂（resin/polymer），光刻胶中不同材料的粘合剂，给与光刻胶的机械与化学性质（如粘附性、胶膜厚度、热稳定性等）；感光剂，感光剂对光能发生光化学反应；溶剂（Solvent），保持光刻胶的液体状态，使之具有良好的流动性；添加剂（Additive），用以改变光刻胶的某些特性，如改善光刻胶发生反射而添加染色剂等。 负性光刻胶。树脂是聚异戊二烯，一种天然的橡胶；溶剂是二甲苯；感光剂是一种经过曝光后释放出氮气的光敏剂，产生的自由基在橡胶分子间形成交联。从而变得不溶于显影液。负性光刻胶在曝光区由溶剂引起泡涨；曝光时光刻胶容易与氮气反应而抑制交联。 正性光刻胶。树脂是一种叫做线性酚醛树脂的酚醛甲醛，提供光刻胶的粘附性、化学抗蚀性，当没有溶解抑制剂存在时，线性酚醛树脂会溶解在显影液中；感光剂是光敏化合物（PAC，Photo Active Compound），最常见的是重氮萘醌（DNQ），在曝光前，DNQ是一种强烈的溶解抑制剂，降低树脂的溶解速度。在紫外曝光后，DNQ在光刻胶中化学分解，成为溶解度增强剂，大幅提高显影液中的溶解度因子至100或者更高。这种曝光反应会在DNQ中产生羧酸，它在显影液中溶解度很高。正性光刻胶具有很好的对比度，所以生成的图形具有良好的分辨率。 b、化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist）。树脂是具有化学基团保护（t-BOC）的聚乙烯（PHS）。有保护团的树脂不溶于水；感光剂是光酸产生剂（PAG，Photo Acid Generator），光刻胶曝光后，在曝光区的PAG发生光化学反应会产生一种酸。该酸在曝光后热烘（PEB，Post Exposure Baking）时，作为化学催化剂将树脂上的保护基团移走，从而使曝光区域的光刻胶由原来不溶于水转变为高度溶于以水为主要成分的显影液。化学放大光刻胶曝光速度非常

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